Библиография

Предмет: Радиоконструирование

Тема: Транзисторы

1. A high-performance self-aligned UMOSFET with a vertical trench contact structure / Matsumoto Satoshi, Ohno Terukazu, Ishii Hiromu, Yoshino Hideo // IEEE. Trans. Electron Devices - 1994-41, № 5. - С. 814-818.
2. Hofstein S. R., Heiman F. P. The Silicon Insulated-Gete Field-Effect Transistor, Proc. IEEE, 51, 1190 (1963).
3. Horwitz C. M. Variable-Angle Dry Etching with a Hollow Cathode // Appl. Phys. Leltt, 1984. Vol. 44, № 11. P. 1041-1043.
4. Ihantola H. K. Design Theory of a Surface Field-Effect Transistor, Stanford Electron. Lab. Tech. Rep. No. 1661-1 (1961).
5. Ihantola H. K. J., Moll J. L. Design Theory of a Surface Field-Effect Transistor, Dolid State Electron., 7, 423 (1964).
6. Kahng D., Atalla M. M. Silicon-Silicon-Dioxide Field Induced Surface Devices, IRE Solide-State Device Res. Conf., Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh., Pa., 1960; Kahng D. A Historical Perspective on the Development of MOS Transistors and Related Devices, IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 655 (1976).
7. Proc?d? de realization d'un TRANSISTOR A EFFET de champ hyparfr?quence: Заявка 2685819 Франция, MKU5 H 01 L 29/812/ Pacou T., Arsene-Henry P., Pham Ngu Tung, Aubame E.; Soci?t? date: Thomson Composants Microondes - № 9116377: Заявл. 31.12.91; опубл. 2.7.93.
8. Sah C. T. Characteristics of the Metal-Oxide-Semiconductor Transistors, IEEE Trans. Electorn Devices, ED-11, 324 (1964).
9. Tarui Y., Hayashi Y., Sekigawa T. Diffusion Self-Aligned Enhance-Depletion MOS-IC, Proc. 2nd Conf. Solid State Devices, Suppl. J. Jpn. Soc. Appl. Phys., 40, 193 (1971).
10. Vertical current flow field effect transistor with thick insulator over hor-Channal areas: Пат. 5298781 США, MKU5 H 01 L 29/76/ Cogan Adrian I., Blanchard Richard A.; Siliconix inc. - № 910864; Заявл. 8.7.92; Опубл. 29.3.94; MKU 257/333.
11. А. Блихер Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. - Л.: Энергоатомиздат, 1986. - 248 с.
12. Гордеев Д. Д., Дягилев В. Н., Парменов Ю. А. Технология вертикально-интегрированных полупроводниковых структуры для создания СБИС. // Зарубежная электронная техника. - 10 октября 1987. - с. 3.
13. Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Вакуумно-технические проблемы ионного, ионно-химического и плазмохимического травления: Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника. 1984. Вып. 5 (1050) (ЦНИИ "Электроника"). 56 с.
14. Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. - М.: Энергоатомиздат, 1987. - 264 с.
15. Зи С. Физика полупроводнковых приборов. - М.: Мир, 1984. - 456 с.
16. Киреев В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. - М.: Радио и связь, 1983. - 126 с.
17. Никишин В. И., Петров Б. К., Сыноров В. Ф. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов. - М.: Радио и связь, 1989. - 145 с.
18. Окснер Э. С. Мощные полевые транзисторы и их применение. - М.: Радио и связь, 1985. - 288 с.
19. Расчет стационарной концентрации радикалов и скорости травления материалов в плазме газовых разрядов / В. Ю. Киреев, Б. С. Данилин, В. Д. Журавов, В. И. Кузнецов // Химия высоких энергий. 1980. № 4. - С. 72-77.
20. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. Книга 2. - М.: Мир, 1986. - 456 с.
21. Тешнер, Жикель, Гридистор - новый полевой прибор. - ТИИЭР, 1964, т. 52, № 12, с. 1630-1641.

Похожие книги

1. Н.С. Спиридонов, В.И. Вертоградов. Дрейфовые транзисторы. – М.: Советское радио, 1964. – 304 с.
   
2. В.М. Петухов. Транзисторы и их зарубежные аналоги. В 4 томах. Том 4. – М.: РадиоСофт, 2004. – 544 с.
   
3. Я.К. Трохименко. Радиоприемные устройства на транзисторах. – М.: Технiка, 1972. – 350 с.
   
4. И.Ф. Николаевский, Д.В. Игумнов. Параметры и предельные режимы работы транзисторов. – М.: Советское радио, 1971. – 380 с.
   
5. И.П. Степаненко. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977. – 672 с.
   
6. К.М. Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И. Давыдова и др. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.
   
7. Мощные транзисторы для телевизоров и мониторов. – М.: Наука и техника, 2005. – 448 с.
   
8. Транзисторы в SMD исполнении. Том 1. Hitachi, Nec, Panasonic, Renesas, Rohm, Sanyo, Toshiba. – М.: МК-Пресс, 2006. – 544 с.
   
9. Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды + SMD. 0…9. Справочник. – М.: Наука и техника, 2008. – 672 с.
   
10. Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды+SMD. A…Z. Том 1 (A-R). – М.: Наука и техника, 2008. – 816 с.
    
11. Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды+SMD. A…Z. Том 2 (R-Z). – М.: Наука и техника, 2008. – 816 с.
    
12. В.П. Дьяконов. Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение. – М.: Солон-Пресс, 2008. – 240 с.
    
13. В.П. Дьяконов. Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. – М.: Солон-Пресс, 2008. – 384 с.
    
14. В.М. Петухов. Взаимозаменяемые транзисторы. Справочник. – М.: РадиоСофт, 2009. – 384 с.
    
15. В.М. Петухов. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник. В 4 томах. Том 5. Дополнительный. – М.: РадиоСофт, 2010. – 480 с.
    
16. В.В. Денисенко. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. – 408 с.
    
17. В.М. Петухов. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Том 3. – М.: РадиоСофт, 2000. – 672 с.
    

Описание предмета: «Радиоконструирование»

Бесплатные рефераты, курсовые, дипломные работы